O le wafer e faia i le silikoni mama (Si). E masani ona vaevaeina i le 6-inisi, 8-inisi, ma le 12-inisi faʻamatalaga, o le wafer e gaosia e faʻavae i luga o lenei wafer. Silicon wafers saunia mai semiconductor mama maualuga e ala i faiga e pei o tioata toso ma tipi ua taʻua o wafers becafa'aoga e lapotopoto. E mafai ona fa'agaioiina i luga ole masini fa'ameamea e avea ma oloa ma mea tau eletise. oloa fa'aogaina feso'ota'iga. Wafers e alu i se faasologa o faiga semiconductor gaosiga e fausia ai ni fausaga laiti tetele, ona tipiina lea, afifi, ma tofotofoina i tupe meataalo, lea e masani ona faʻaaogaina i masini eletise eseese. Ua sili atu i le 60 tausaga o fa'atekonolosi fa'atekonolosi ma atina'e tau alamanuia, fa'atupuina se tulaga tau alamanuia e pulea e le silikoni ma fa'aopoopoina i mea fou semiconductor.
80% o telefoni fe'avea'i ma komepiuta a le lalolagi o lo'o gaosia i Saina. E faalagolago Saina i oloa mai fafo mo le 95% o ana chips e maualuga le faatinoga, o lea e faaalu e Saina le US$220 piliona i tausaga uma e aumai ai chips, lea e faaluaina le faatauina mai e Saina o le suauu i tausaga taitasi. O meafaigaluega uma ma mea e fesoʻotaʻi ma masini photolithography ma le gaosiga o chip ua poloka foi, e pei o wafers, metala mama maualuga, masini etching, ma isi.
I aso nei o le a tatou talanoa puupuu e uiga i le mataupu faavae o le tapeina o le malamalama UV o masini wafer. Pe a tusia faʻamatalaga, e manaʻomia le tuiina o le totogi i totonu o le faitotoa faʻafefe e ala i le faʻaogaina o se VPP maualuga maualuga i le faitotoa, e pei ona faʻaalia i le ata o loʻo i lalo. Talu ai ona o le tui tui e leai se malosi e ulu atu ai i le puipui malosi o le silicon oxide film, e mafai ona naʻo le tulaga quo, o lea e tatau ai ona tatou tuʻuina atu le tau i se aofaiga o le malosi! O le taimi lea e manaʻomia ai le malamalama ultraviolet.
Pe a maua e le faitotoa opeopea le irradiation ultraviolet, o le electrons i le faitotoa faaopeopea maua le malosi o le malamalama ultraviolet quanta, ma le electrons avea electrons vevela ma le malosi e ulu atu i le puipui malosi o le ata tifaga oxide. E pei ona faʻaalia i le ata, o loʻo faʻaogaina e le eletise vevela le ata o le oxide silicon, tafe atu i le substrate ma le faitotoa, ma toe foi i le tulaga tape. Ole fa'agaioiga solo e na'o le mauaina o le fa'avelaina o le ultraviolet, ma e le mafai ona tapeina fa'aeletoroni. I se isi faaupuga, o le numera o bits e mafai ona suia mai le "1" i le "0", ma i le isi itu. E leai se isi auala nai lo le tapeina o mea uma o loʻo i totonu o le chip.
Matou te iloa o le malosi o le malamalama e faʻatusatusa i le galu o le malamalama. Ina ia mafai e le eletise ona avea ma eletise vevela ma maua ai le malosi e ulu atu ai i le ata o le oxide, o le faʻamalamalamaina o le malamalama ma se umi puupuu o le galu, o lona uiga, o le ultraviolet rays, e matua manaʻomia. Talu ai o le taimi tape e fa'alagolago i le numera o photons, o le taimi tape e le mafai ona fa'apu'upu'u tusa lava pe pupuu umi galu. E masani lava, o le tapeina e amata pe a o le galu umi e tusa ma le 4000A (400nm). E masani lava e oʻo atu i le saturation ile 3000A. I lalo ifo o le 3000A, e tusa lava pe puupuu le umi o le galu, e leai se aafiaga i le tapeina o le taimi.
O le faʻataʻitaʻiga mo le tapeina o le UV e masani lava ona talia ave o le ultraviolet ma le umi o le galu o le 253.7nm ma le malosi ole ≥16000 μW /cm². E mafai ona fa'amae'aina le ta'aloga solo i le taimi fa'aalia mai le 30 minute i le 3 itula.
Taimi meli: Tes-22-2023